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| 规格书 |
 NTMSD3P102R2 |
| 文档 |
Copper Wire 12/May/2009 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Wire Change 12/May/2009 |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Diode (Isolated) |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 2.34A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 85 mOhm @ 3.05A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 25nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 750pF @ 16V |
| 功率 - 最大 | 730mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SOICN |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
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